单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池----中国新能源网

单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池

文章来源：中国新能源网 | 发布日期：2009-06-08 | 作者：未知 | 点击次数：

公开号：101188258 （8595）

发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏

地址：日本东京都

本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。

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