太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法----中国新能源网

太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法

文章来源：中国新能源网 | 发布日期：2008-10-28 | 作者：未知 | 点击次数：

公开号：101167191

发明人：大塚宽之;高桥正俊;石川直挥;斋顺重德;植栗豊敬;生岛聪之;渡部武纪;赤塚武;大西力

地址：日本东京都

本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。

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