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一种太阳能电池的制造方法以及太阳能电池

文章来源:中国新能源网 | 发布日期:2008-10-28 | 作者:未知 | 点击次数:

公开号:101164173 

发明人:大塚宽之;石川直挥;高桥正俊

地  址:日本东京都

    本发明涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池,该制造方法是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法,其特征为至少包含下列步骤:在第一导电型半导体基板上,涂布含有掺杂剂的第一涂布剂,然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层;该第一扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域;该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成,其导电率低于该第一扩散层。由此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合,而能够提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池,可以简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。

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