在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的方法及设备----中国新能源网

在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的方法及设备

文章来源：中国新能源网 | 发布日期：2008-10-20 | 作者：未知 | 点击次数：

公开号：101165205

发明人：甘国工

地址：610100四川省成都市龙泉驿区经济技术开发区星光中路东泰(成都)工业有限公司

本发明提供了一种在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的方法，该方法是在200～400℃范围对太阳能电池片进行加温情况下，在磁控溅射镀膜工作室中充入反应性气体氮气，同时充入氨气，利用旋转的孪生中频靶对其磁控溅射，同时利用等离子体发射谱强度监测器闭环平衡控制装置对充入反应气体氮气进行闭环流量控制，用质量流量计控制氨气流量，在电池片上沉积掺氢氮化硅的抗反射钝化膜。该生产方法沉积氮化硅安全可靠。本发明还提供了一种在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备，该设备采用了中频孪生反应磁控溅射装置和PEM闭环平衡控制装置，确保了工艺的稳定性，提高了沉积效率，沉积氮化硅产量高、低成本。

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