薄膜硅太阳能电池中的纳米线----中国新能源网

薄膜硅太阳能电池中的纳米线

文章来源：中国新能源网 | 发布日期：2008-08-05 | 作者：未知 | 点击次数：

公开号：101136444

发明人：B•A•科列瓦尔;L•查卡拉科斯

地址：美国纽约州

在有些实施方案中，本发明涉及包含硅(Si)纳米线101为活性PV元件的光伏(PV)器件100、200和1400，在其中，这类器件一般都是薄膜 Si太阳能电池。这类太阳能电池一般都具有p-i-n型并能制成前面和/或背面(即上和/或下)照明的。此外，本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法以及使用这类器件的体系和模块(例如，太阳能电池板)。

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