5月19日，中科钢研在北京举办碳化硅成果发布会。在发布会上获悉，我国高品质、大规格碳化硅晶体生长技术的研发取得了突破性进展，伴随其产业化项目正式启动，我国有望摆脱碳化硅半导体衬底片依赖进口的尴尬局面。

作为第三代半导体材料，碳化硅凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能，成为当今最受关注的新型半导体材料之一。采用碳化硅材料制成的电力电子元件可工作于极端或恶劣环境下，特别适用于航空航天、石油地质勘探、高速铁路、新能源汽车、太阳能逆变器及工业驱动等需要大功率电源转换的应用领域。

到2022年，碳化硅元件有望在半导体功率器件领域逐步实现对硅的全面替代，碳化硅半导体时代即将开启。未来5年，碳化硅功率半导体市场规模年均复合增长率将达到38%，市场前景广阔。

碳化硅衬底片是典型的技术密集型和资金密集型产业，高良品率、高稳定性的长晶工艺技术是其核心。目前国际上先进的碳化硅长晶工艺及装备掌握在美德日等少数发达国家手中，全球仅极少数企业能够商业化量产。

目前，以美国科锐公司为代表的碳化硅半导体领军企业已实现了4英寸碳化硅产品成熟使用并正在向6英寸进军，国内4英寸碳化硅单晶片品质和成本尚与国际先进水平存在较大差距，已成为中国第三代半导体材料应用发展的瓶颈。

中科钢研与上海大革智能科技有限公司等单位联合研发的升华法4英寸导电性碳化硅晶体长晶生产过程稳定，装备自动化程度高，通过对核心工艺技术及装备的研发升级，在晶体良品率和节能降耗等关键指标上取得了突破性进展，高品质、大规格碳化硅晶体生产即将进入产业化。

从市场调研，到专家团队组建、联合实验室建立，再到高品质、大规格碳化硅产业化项目签约落地，中科钢研仅用了不到1年的时间。未来3年，中科钢研将突破6英寸“高品质、低成本”导电型碳化硅晶体升华法长晶工艺及装备制造，并达到产业化水平，同时将在全国完成30亿元投资布局，打造国内最大的碳化硅晶体衬底片生产基地。