中电48所突破我国第三代半导体材料制造关键技术----中国新能源网

中电48所突破我国第三代半导体材料制造关键技术

文章来源：湖南能源 | 发布日期：2015-12-05 | 作者： | 点击次数：

近日,中电48所在长沙召开第三代半导体关键设备推介会暨SiC高温高能离子注入机新品发布会。省经信委、中国电科11所、14所、26所、44所、南车时代、无锡尚德、中国工程物理研究院、华星电子集团公司、华磊光电、宏达电子、国防科大、湖南大学、西安电子科大、华中科技大学等20多个单位的近五十多位领导、专家和学者出席了发布会。

与会专家一致认为，中电48所M56700-1/UM型SiC高温高能离子注入机的研制成功，标志着我国在第三代半导体材料制造中的瓶颈技术取得突破性进展，打破了长期以来SiC高温高能离子注入机依赖进口受制于人的被动局面，对促进军用电子元器件的水平，提高我国国防综合实力，具有里程碑意义，同时为我省集成电路装备产业的发展注入新的发展动力。

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