新建多晶硅项目门槛将逐步提高----中国新能源网

新建多晶硅项目门槛将逐步提高

文章来源：成都商报 | 发布日期：2009-10-19 | 作者：未知 | 点击次数：

本报讯(记者韩利)昨日，在西博会2009中国国际硅业大会暨光伏产业发展论坛上，记者获悉，四川将采取六大措施着力打造国家级硅材料及光伏产业发展高地：建立全省硅材料及光伏产业联席会议制度；严格准入制度，做好实施多晶硅行业准入工作的准备；对多晶硅产业链发展提供政策优惠；千方百计保障多晶硅企业天然气需求；在省内大专院校设立硅材料及光伏产业发展的相关专业等。

论坛上，工信部副部长陈求发介绍，我国工业硅产能、产量和出口量已居世界首位。今年9月，国务院下发的通知明确提出，新建多晶硅项目规模必须大于3000吨/年，占地面积小于6公顷/千吨多晶硅，而太阳能级多晶硅还原电耗小于60千瓦时/千克。工信部产业司副司长侯世国表示，这一准入门槛还将逐步提高。

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