中国 上海，2015年6月15日–上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia 2015 ）将于2015年6月24日至26日在上海世博展览馆举办。日本半导体制造商株式会社东芝（Toshiba）旗下东芝半导体&存储产品公司将以其“Human Smart Community by lifenology - the technology life requires （智社会，人为本，以科技应人类之求）”的企业理念，于4号厅A18展位展示多款电力领域节能环保的功能器件与专利技术，展出产品包括其IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor） 专利产品、光耦产品、MOSFET以及IPD + MCU电机驱动方案等。

随着能源危机已逐渐制约现代社会的发展，开发和利用可再生能源是人类立足自身解决能源问题的重要举措之一。东芝作为能源领域引领者，自1875年创始之际既秉持“Human Smart Community（智社会 人为本）”企业理念，以创新的科技服务于社会，并为创造一个舒适、美好的人类生活环境而不懈努力。目前，“能源”（包含能源生成及再利用、输配电等）已成为了东芝三大支柱产业之一，以期面对全球化亟待解决的复杂课题。

在本次2015年PCIM Asia展览上，IEGT作为东芝半导体的专利产品参展。其通过采取“注入增强结构（IE：Injection Enhanced）”实现了低通态电压，有效地实现了大功率变频器的节能，且其优势随着电力市场项目功率等级和电压等级的不断提高，逐步得到了体现和认可。目前，东芝半导体的IEGT主要应用于柔性高压直流输电（HVDC）、新能源、牵引、中高压变频器等特大功率电力领域。现在国内市场上已经有以东芝的IEGT作为核心器件成功运行项目。并且，为了更好的满足不同应用领域的具体需求，东芝半导体专门推出了不同封装的IEGT产品，适用于高速EMU的3.3kV PMI封装（塑封模块）的IEGT、适用于重型EL的4.5kV PMI封装的IEGT、适用于电力机车驱动要求尺寸小、重量轻并节能降耗的3.3kV/1.5kV碳化硅混合模块封装IEGT以及适用于大功率节能的4.5kV/3.3kV PPI封装（压接式封装）的IEGT。

在光耦方面，东芝半导体将展出应用于IGBT/MOSFET栅极驱动的光耦，其可以保证高达40kV/µs的共模抑制（CMR）。这些光耦非常适合应用于像逆变器和伺服器等在电噪声环境中的安装应用。

东芝半导体在MOSFET方面已拥有十余年的开发与生产经验，能够提供具有各种电路结构和封装的低VDSS和中/高VDSS MOSFET 广泛产品组合，并采用最新的工艺技术提高开关电源的功率。

在本次展览上，东芝半导体还将展出智能模块IPD与专用驱动芯片MCD相结合的BLDC马达解决方案——具有良好的系统稳定性和丰富的系统保护功能，并能够实现零速和顺逆风启动。