宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 5 月18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP可处理高功率，工作电压高达100V，有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)两种小外形尺寸，能够在不削减性能的情况下，实现更小的产品设计。

今天推出的这些器件具有高工作电压和5pF～100pF的电容，以及出撸棒的MOS结构，适用于LC、RC或LRC滤波，RF扼流，以及直流隔离和阻抗匹配。对于这些应用，BRCP可以采用多引线键合，最小容值的外形A、外形B的电容器分别有7个键合和15个键合。

条形电容器的TCC低至±50ppm/℃，绝对公差只有±5%。器件具有优异的负载寿命稳定率，可以在-55℃～+150℃温度范围内工作。

BRCP条形MOS电容器现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com

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